1．(对应考点一)下列说法正确的是( )
A．硅是良好的半导体材料，能与盐酸或氢氧化钠溶液反应
B．二氧化硅不导电，能与盐酸或氢氧化钠溶液反应
C．硅酸具有多孔性结构，可用作吸附剂或催化剂载体
D．二氧化硅是酸性氧化物，能与氢氟酸反应，也能与氢氧化钠溶液反应
解析：硅与盐酸不反应，A不正确；二氧化硅与盐酸也不反应，B不正确；具有多孔结构，用作吸附剂或催化剂载体的是硅胶，而不是硅酸，C不正确；D项正确，SiO2＋4HF===SiF4↑＋2H2O,2NaOH＋SiO2===Na2SiO3＋H2O。
答案：D
2．(对应考点一)由下列实验事实得出的结论正确的是( )
A．由SiO2不能与水反应生成H2SiO3，可知SiO2不是酸性氧化物
B．由SiO2＋2CSi＋2CO↑，可知碳的非金属性大于硅
C．CO2通入Na2SiO3溶液产生白色沉淀，可知酸性H2CO3>H2SiO3
D．SiO2可与NaOH溶液反应，也可与氢氟酸反应，可知SiO2为两性氧化物
解析：SiO2是酸性氧化物，A项错误；反应SiO2＋2CSi＋2CO↑不能说明碳的非金属性比硅强，该反应能发生是因为生成CO气体，它的放出促进了反应进行，B项错误；CO2通入Na2SiO3溶液中生成H2SiO3胶体，符合强酸制弱酸的规律，证明酸性H2CO3>H2SiO3，C项正确；D项中SiO2除氢氟酸外不能与其他的酸反应，SiO2为酸性氧化物，不具有两性，D项错误。
答案：C
3．(对应考点二)下列关于硅的说法不正确的是( )
A．硅是非金属元素，它的单质是灰黑色有金属光泽的固体
B．硅的导电性能介于导体和绝缘体之间，是良好的半导体材料
C．硅的化学性质不活泼，常温下不与任何物质发生反应
D．加热到一定温度时，硅能与氯气、氧气等非金属反应
解析：硅的导电性介于导体和绝缘体之间，是良好的半导体材料；硅的化学性质稳定、常温下可与F2、HF、强碱溶液反应，加热或高温下可与O2、Cl2等一些非金属发生反应。
答案：C
4．(对应考点二)单晶硅是制作电子集成电路的基础材料。科学家预计，到2011年一个电脑芯片上将会集成10亿个晶体管，其功能远比我们想象的要大得多，这对硅的纯度要求很高。用化学方法可制得高纯度硅，其化学方程式为：
①SiO2＋2CSi＋2CO↑ ②Si＋2Cl2SiCl4
③SiCl4＋2H2Si＋4HCl。下列对上述三个反应的叙述中，不正确的是( )
A．①③为置换反应
B．②为化合反应
C．①②③均为氧化还原反应
D．三个反应的反应物中硅元素均被还原
解析：反应①③中硅元素被还原，反应②中硅元素被氧化，D错误。
答案：D
5．(热点题)氮化硅高温陶瓷材料是现代重要的结构陶瓷，因其有硬度大、熔点高、化学性质稳定等特点而受到广泛关注。工业上普遍用下列流程进行生产：
(1)SiO2和C反应除了得到粗硅外，还有可能得到一种硬度也很大的物质，是生成粗硅还是生成该物质主要是由________决定的。
(2)反应①的条件是____________________________________________________。
(3)写出反应②的化学方程式____________________________________________。
(4)A中可能的杂质有__________________________________________________。
(5)现在是用四氯化硅、氮气、氢气在稀有气体保护下加强热，得到纯度较高的氮化硅，其反应方程式为__________________________________________________________
____________________________________________________________________。
解析：SiO2与C在高温下反应，会因C的用量不同而使产物不同：SiO2＋2CSi＋2CO↑或SiO2＋3CSiC＋2CO↑；反应①的条件是：高温和隔绝空气；反应②的化学方程式：3CuO＋2NH33Cu＋N2＋3H2O；A中可能的杂质有：NH3和H2O；得到纯度较高的氮化硅的反应方程式为：3SiCl4＋2N2＋6H2Si3N4＋12HCl。
答案：(1)C的用量 (2)高温和隔绝空气
(3)3CuO＋2NH33Cu＋N2＋3H2O
(4)NH3和H2O
(5)3SiCl4＋2N2＋6H2Si3N4＋12HCl
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